一、工藝開發與器件優化
?新材料/新技術導入?
主導IGZO等氧化物半導體材料的特性評價與工藝開發,推動新技術量產導入?
1。
解決TFT器件特性異常(如遷移率不足、閾值電壓漂移),優化制程參數提升器件性能?
1。
?制程改善與良率提升?
監控氧化物薄膜沉積、刻蝕等關鍵制程,分析不良品根因并提出改善方案?
2。
通過PFMEA等工具預防風險,提升產品良率及制程穩定性?
2。
二、跨部門協作與項目管理
?產線技術支持?
制定氧化物工藝標準化流程,快速響應產線異常(如膜厚偏差、刻蝕缺陷)?
2。
協調研發團隊完成新產品導入(NPI),確保工藝條件與設備選型匹配?
1。
?技術培訓與規劃?
開展部門內氧化物器件技術培訓,輸出技術報告推動標準迭代?
1。
參與面板背板技術調研,規劃未來技術開發方向?
1。
三、成本控制與專案推進
?成本優化?
評估備品耗材國產化方案,降低運營成本?
優化工藝參數以減少靶材等原材料浪費。