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    更新于 12月1日

    高級研發工程師

    1.6-3萬·14薪
    • 武漢江夏區
    • 5-10年
    • 碩士
    • 全職
    • 招2人

    職位描述

    設計研發芯片半導體材料光芯片EMLDFBDBRVCSEL
    職位描述:
    1. 參與高速率半導體激光器芯片(DFB、EML、DBR、VCSEL等)新產品項目策劃和設計(或仿真),產品技術指標評估;
    2. 研究并制定產品工藝路線,及時分析產品開發過程中的異常,提出建議和改進意見;
    3. 編制相關產品開發文檔,編撰相關專利文檔;
    4. 參與省/市、國家項目的申報工作,編寫項目策劃書等申報文件,負責項目過程以及項目驗收工作。
    任職資格:
    1、碩士及以上學歷,博士更佳,光學、微電子、材料物理、光電信息等相關專業;
    2、熟悉半導體材料外延生長、光刻、刻蝕等工藝,對Ⅲ/Ⅴ族半導體材料工藝有所了解;
    3、有DFB、DBR、EML、VCSEL、大功率等半導體激光器項目背景為佳。
    4、有光電器件、光波導或多物理場仿真項目經驗,熟悉comsol、Rsoft或cross light軟件,能完成算法及軟件的編寫為佳。
    工作時間:8:30-17:30,雙休,需要加班;
    福利待遇:入職繳納五險一金,補充商業險,定期體檢,帶薪年假,股權激勵,項目獎金,工齡津貼,零食下午茶,不定期團建活動等,給予員工足夠的發展平臺和晉升空間!

    獎金績效

    13-15薪,股權激勵,項目獎金

    工作地點

    武漢江夏區楚天傳媒科創園

    職位發布者

    何婉/HR

    三日內活躍
    立即溝通
    公司Logo武漢國科光領半導體科技有限公司
    武漢國科光領半導體科技有限公司由中國科學院半導體所光子集成團隊核心力量創辦,于武漢東湖高新區注冊成立。公司采用IDM模式,涵蓋光芯片的研發、設計、制造和銷售在內的全部運營業務,主營10G/25G/50G/100G EML、25G DFB、10G/25G DBR、25G VCSEL、大功率激光雷達等系列激光器芯片,定位于25G及以上高端激光器芯片市場。產品可廣泛應用于數據中心(云)、電信網絡(管)、接入終端(端)領域。公司廠房位置為武漢市東湖高新區湖北日報楚天傳媒科創園二期1#廠房一層和二層,總建筑面積5500平米。
    公司主頁
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