深圳市朗帥科技有限公司于2014年5月19日成立，注冊資本2000萬；在2018年獲得國家高新技術企業認證，于2023年取得國家專精特新企業認證。已獲授權發明專利、實用新型、軟件設計等專利52項，涉足并歷經進口國際品牌分銷、國產品牌代理及方案推廣、功率器件研發設計及銷售等全鏈條運營；公司運營總部位于深圳，在武漢、合肥、常州、寧波、溫州、香港等地設有辦事處。勵志于成為半導體研發設計行業國際知名的民族自主品牌，助力信息社會發展。

2018年成立朗帥華晶事業部，立足于功率半導體元器件研發設計、封裝測試及銷售，公司產品包括 Trench MOS/SGT MOS/Super Junction MOS/ Planar MOS等系列產品。公司布局第三代半導體碳化硅：專精于深溝槽式SiC領域的研發設計，攜手國內外一線的功率器件晶圓及封測廠商，以客戶需求為導向定制功率器件，并提供變頻、電動主驅整體解決方案。產品有SiC MOS、IGBT單管、IPM智能功率模塊、IGBT模塊等全線覆蓋；公司瞄準第四代半導體氧化鎵的技術方向。公司科研人員在產品研發設計和行業銷售方面具有豐富的行業經驗，立足于通用型器件設計，并著眼前沿技術研發，配有專業AE/FAE團隊，提供產品驗證和客戶支持。

目前產品廣泛應用三大塊，消費類電子、新能源、工業控制類。