??【公司簡介】??
我們是一家專注于先進半導體封裝技術的創新型企業，聚焦AI、高性能計算（HPC）、數據中心等前沿領域，核心布局??FOPLP（扇出型面板級封裝）??與??CoPoS（Chip on Panel Substrate）??技術研發，已突破2μm線寬線距（2μm L/S）先進封裝工藝。當前，為解決高算力芯片高帶寬、低功耗、高可靠性需求，公司正加速推進??先進金屬化工藝??研發（涵蓋微凸點、TSV/混合鍵合、厚銅互連等），亟需金屬化領域技術專家加入，共同定義下一代封裝的核心連接技術！
【崗位職責】??
??1、金屬化工藝開發??：負責FOPLP/CoPoS等先進封裝中金屬化工藝（如微凸點（Micro-Bump）、硅通孔（TSV）、混合鍵合（Hybrid Bonding）、厚銅互連等）的設計與優化，突破高深寬比填充、低應力沉積、高可靠性鍵合等技術瓶頸。
2、材料與設備協同??：協同材料團隊開發適配先進封裝的金屬化材料（如銅柱電鍍液、UBM阻擋層、鍵合界面材料），優化電鍍、濺射、退火等設備參數，提升工藝一致性與良率。
3、可靠性與失效分析??：主導金屬化結構的可靠性驗證（如熱循環、機械沖擊、電遷移（EM）/電遷移空洞（TDDB）測試），利用TEM、EBSD、3D-SEM等工具分析失效機理（如界面開裂、金屬間化合物（IMC）過度生長），推動工藝迭代。
4、跨部門技術對接??：與封裝設計（DFM）、工藝整合（PIE）、測試（QA）團隊協作，確保金屬化工藝與封裝整體方案匹配；支持客戶樣品導入，解決量產中的金屬化相關問題（如散熱不均、信號損耗）。
5、技術前瞻布局??：跟蹤行業趨勢（如2.5D/3D封裝、異構集成），研究新型金屬化技術（如納米銅鍵合、自組裝分子層（SAM）界面改性），為公司技術路線圖提供決策支持。
【任職要求】??
1、教育背景??：材料科學與工程、電子科學與技術、應用化學、物理等相關專業碩士及以上學歷，博士優先；有微納制造、電化學、表面物理等交叉背景者優先。
2、經驗要求??：3年以上半導體封裝金屬化工藝研發經驗，有??先進封裝（FOPLP、CoWoS、EMC、HDI）??或??高可靠性互連（如汽車電子、AI芯片）??領域經驗者優先；熟悉2μm及以下線寬線距下金屬化工藝（如微凸點間距≤20μm）者優先。
3、技術能力??：
（1）深入理解金屬化核心工藝（電鍍、濺射、鍵合、退火）的物理/化學機制，掌握微納尺度下金屬生長（如銅柱填充、阻擋層沉積）與界面反應規律；
（2）熟悉先進封裝制程（如TSV刻蝕、晶圓減薄、塑封料（EMC）特性），能分析金屬化與封裝其他工序（如塑封、表面處理）的兼容性問題；
（3）精通可靠性測試標準（如JEDEC JESD22、AEC-Q100）與失效分析方法（如FIB-TEM、XPS深度剖析），能主導DOE實驗設計優化工藝窗口；
（4）了解行業技術動態（如混合鍵合替代傳統凸點的趨勢、低介電常數（low-k）介質對金屬化的挑戰），具備技術創新與專利布局能力。
4、綜合素養??：優秀的跨部門溝通與項目管理能力；良好的英語讀寫能力（需閱讀國際期刊/專利）；具備技術論文發表或專利撰寫經驗者優先。
?【我們提供】??
1、行業競爭力的薪酬??：如果您是我們尋找的高手，薪資將不是您需要擔心的問題。我們樂于與您共同探討一個能匹配您價值的方案，包含績效獎金、項目跟投權及核心技術崗位津貼。
2、頂尖研發資源??：配備先進的金屬化工藝實驗室（如電鍍線、濺射臺、鍵合機、3D-SEM/FIB設備）、可靠性測試平臺（熱循環/機械沖擊試驗箱）。
3、職業成長空間??：參與前沿技術攻關（如2.5D CoWoS金屬化、FOPLP大尺寸面板鍵合），直接向研發副總匯報，快速成長為領域專家。
4、完善福利體系??：六險一金、彈性工作制、年度健康體檢、高端技術培訓（如國際封裝會議、設備廠商認證）、員工股權激勵計劃。
5、產業資源支持??：與全球頭部晶圓廠（如臺積電、三星）、封裝廠（如日月光、長電科技）及材料巨頭（如安森美、京瓷）深度合作，提供技術交流與國際項目機會。
我們期待與您共同攻克先進封裝“連接”難題，為AI/HPC芯片提供更可靠的“神經脈絡”！